立昂东芯6英寸砷化镓微波射频集成电路芯片生产线拥有完整的正面制程工艺生产和完整的背面制程工艺生产，以及DC和AC PCM测试，DIESORT测试和材料控制。其主要制程工艺技术或将开发的工艺技术包括：
具有多种高集成度的铟镓磷异质结双极型晶体管技术，应用于LTE/WCDMA/CDMA/WLAN中的功率放大器电路。使用多达三层金属联接、高密度电容器、多层高性能的层间介电质技术。大大缩小了芯片尺寸，提升了器件的线性度、可靠耐用性以及功率附加效率（PAE）。
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开发0.25-0.5um的E/D模式，4 mil 的AlGaAs/InGaAs双掺杂的高电子迁移率晶体管技术，可应用于无线通信、无线上网以及其它多个领域。器件具体噪音低，高增益、高功率密度和高功率附加效率（PAE）的性能特点。在实行大规模生产后，继续开发0.15um、0.1um的AlGaAs/InGaAs双掺杂的高电子迁移率晶体管技术。
将开发1.0um的铟化磷单异质结双极型晶体管技术（InP SHBT）和铟化磷双异质结双极型晶体管技术（InP DHBT）以满足5G无线技术应用的要求。
将开发GaN技术应用于无线射频通讯市场。所有这些先进的生产工艺技术以保证生产出高品质的产品，为客户提供优质的服务并取得最大经济效益。
