杭州立昂东芯高端技术人才团队由多名在美国工作多年海外归国的技术精英组成，其中的骨干都在美国知名学府获得材料、电子相关专业的博士学位，并在威讯、安利吉、高通等知名公司有着十多年的工作经验。团队利用其掌握的关键技术和生产管理经验，自主开发商业应用广泛的高集成的铟镓磷异质结双极型晶体管（InGaP HBT）、0.15-0.5微米的砷化镓高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）和BiHEMT等射频集成电路（RFIC）生产工艺技术，产品工艺成熟可靠，具有世界先进水平。公司通过消化、再创新，建立6英砷化镓RFIC 芯片生产线，制造0.5微米以下的射频集成电路产品。

        整个团队是一支成建制的砷化镓射频集成电路高端人才团队，有着资深的化合物半导体器件设计和加工制造技术背景。并且每个人都有其自身的技术特长。在技术上覆盖了砷化镓、氮化镓、磷化铟等基体材料，从HBT、pHEMT到GaN等制造工艺技术。这些技术专家也覆盖了从光刻、电镀、薄膜材料、干法刻蚀、湿法刻蚀到工业工程和品质管理等领域。在工艺整合、控制工艺参数、提高产率、可靠性和生产管理上有着丰富的实践经验。该团队2016年荣获浙江省领军型创新团队，公司荣获浙江省射频集成电路制造技术省级重点企业研究院。