1.设计手册

  -Design Manual

  -Modeling  Manual

  -QA Report

  2.GDS Layout， CAD支持

  3.光罩采购

杭州立昂东芯微电子有限公司拥有国内第一家具有大规模生产能力的砷化镓RFIC晶圆厂。具有世界领先水平的铟镓磷异质结双极型晶体管（InGaP HBT）、砷化镓高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）和BiHEMT等射频集成电路（RFIC）生产工艺技术。拥有先进的工艺设备和量测设备，和先进的砷化镓工艺制程技术，为MMIC应用提供最高质量的HBT，pHEMT代工服务。

       立昂东芯6英寸砷化镓微波射频集成电路芯片生产线通过优化设计、优化设备配备、单个设备论证和整个工艺优化论证，从而提高了生产效率，可缩短生产周期。每台设备、每个工艺的关键参数都有严格的控制，每台设备都有详细的PM计划，并严格地按计划进行保养、维护。设备维修后都会进行工艺论证，确保工艺参数达到控制要求。每个关键工艺步骤晶圆的应力和颗粒都有精确的控制，以保证批次的一致性。

       立昂东芯6英寸砷化镓微波射频集成电路芯片生产线采用半导体行业使用的互动的企业收益管理解决方案（yield management solution）来管理生产和良品率。从EPI数据、在线控制数据到PCM、DIESORT测试数据都在同一数据库里，并且同一批次、同一晶圆的数据都可以联系起来。这样，可以及早识别和隔离问题的起因（root cause），并且可以大大地缩短达到目标良率的时间以实现大规模生产。也可以降低光罩开支，改进和减少测试时间。并保证批量生产的产品良率和生产周期。

       除了先进的半导体制造技术，立昂东芯还提供layout支持和自动化DC / RF DIESORT片上测试。

立昂东芯提供HBT和HEMT产品的PCM和DIESORT晶圆测试服务。 该服务为所有客户提供标准的WAT数据库，并且同时提供用于SPC分析的PCM数据库。

       立昂东芯拥有独立的对晶圆进行直流和射频电测的能力， 提供HBT和HEMT产品的DIESORT管芯测试服务，其测试结果和生成的图形将通过电子档文本传送给客户， 并可以用在封装线上作管芯拾取。

 

立昂东芯提供HBT和HEMT等产品的晶圆物理缺陷在线检测服务。立昂东芯拥有先进的美国科磊 (KLA-Tencor)的AIT-XP 暗场缺陷检测设备，能够对晶圆表面细小的物理缺陷进行全扫描。

 

立昂东芯提供射频器件和产品的失效分析服务。立昂东芯拥有独立的失效分析实验室,除了进行常规失效检测需要的试验设备，如化学分解池，高倍显微镜，高频示波器等外，实验室还配备了日立冷场发射电子扫描电镜S4700 (Type II)并配有YAG 背散射电子探测头（Hitachi S4700-Type II）和美国FEI 公司先进的双离子束显微电镜 （FEI Scios Dual Beam FIB/SEM）， 以及Oxford AZTec X-Max-50大面积能谱仪。