立昂东芯6英寸砷化镓微波射频集成电路芯片生产线采用自主开发的高集成的InGaP HBT、0.15-0.5微米的GaAs pHEMT和BiHEMT等射频集成电路工艺制程技术，产品工艺成熟可靠，具有世界先进水平。

立昂东芯6英寸砷化镓芯片生产线的关键技术和创新点包括：

解决了无线射频不同应用市场中对砷化镓外延生长材料性能的不同要求的关键技术，具有多种具有自主知识产权的铟镓磷（InGaP) 外延生长材料以满足高线性度、低噪音、高可靠性等的不同需求。

解决了高密度MIM电容器的生产工艺。

高可靠性的层间介电质(Inter- Layer Dielectrics)的加工工艺技术，大大增加器件的高集成度，缩小尺寸以达到相应地降低成本，与境外竞争对手相比单位晶圆的器件量增加20%的目标。

独立自主开发的湿法刻蚀或干法刻蚀器件成型技术，具有良好的工艺可控性和均匀性。

解决了工艺整合中各工序中工艺流程的优化、与生产设备相对应的技术整合，提高生产效率，节省能耗，最大限度地提高良品率>95%。