杭州立昂东芯微电子有限公司

国际微波射频集成电路芯片的卓越供应商

        杭州立昂东芯微电子有限公司拥有中国第一家具有相当大规模产能的商业化6英寸砷化镓微波射频电路芯片生产线,是浙江省的重大产业方向。提供6英寸砷化镓(GaAs)半导体器件生产对外加工服务,开发具有世界领先水平的铟镓磷异质结双极型晶体管(InGaP HBT)、砷化镓高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)和BiHEMT等射频集成电路(RFIC)生产工艺技术,服务迅速发展的无线通信和互联网市场。工艺平台可以满足绝大多数射频电路的产品需求。第一期已建成年产6 英寸砷化镓芯片5万片的生产线。第二期计划在2020年达到年产6 英寸砷化镓芯片12 万片的生产能力。

阶段 主要内容 主要产品 投资额 完成日期 产业化基地 产业化目标
第一期

年产6英寸砷化镓芯片

5万片

InGaP HBT/

GaAspHEMT

4.7亿元 2017年 下 沙
(已建)
打破技术垄断,填补国内空白,接近代工先进水平
第二期

年产6英寸砷化镓芯片

12万片

InGap HBT/GaAspHEMT/

InP HBT/GaN HEMT

5.3亿元 2020年 下 沙
(待建)
达到国际先进水平,并且实现自主创新