杭州立昂东芯微电子有限公司

国际微波射频集成电路芯片的卓越供应商

        杭州立昂东芯微电子有限公司是由海外技术团队与杭州立昂微电子股份有限公司合作成立的一家专门从事砷化镓、氮化镓微波射频集成电路芯片代工服务的公司,公司致力于打造中国第一家具有相当大规模产能的6英寸砷化镓、氮化镓微波射频芯片代工生产线,产品服务迅速发展的4G、5G无线通信和人工智能领域。 公司已经开发了拥有自主知识产权的具有世界先进水平的高集成的铟镓磷异质结双极型晶体管(InGaP HBT)、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)、BiHEMT射频集成电路(RFIC)的生产工艺技术,开发了VCSEL、DOE、ITO以及霍尔传感器的生产制造技术。公司已经建成年产6英寸砷化镓芯片5万片的生产线,突破了主要技术节点,填补了多项技术空白,引领这个产业的技术进步。目前公司已有发明专利13项,还有多项正在申请中。 微波射频集成电路已被列为浙江省重大产业发展方向,公司得到了省市区各级政府的大力支持。海外技术团队荣获2015年“浙江省领军型创新创业团队”,2016年评为“浙江省射频集成电路制造技术重点企业研究院”,承担多项省市重点研发项目。

阶段 主要内容 主要产品 完成日期 产业化基地 产业化目标
第一期

年产6英寸砷化镓芯片

5万片

InGaP HBT/

GaAs pHEMT/

BiHEMT

2017年 杭州钱塘新区
(已建)
打破技术垄断,
填补国内空白,
为代工先进水平
第二期

年产6英寸砷化镓芯片

12万片

InGap HBT/GaAs pHEMT/

InP HBT/GaN HEMT

2020年 杭州钱塘新区
(待建)
达到国际先进水平,
并且实现自主创新