我公司《一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺》发明专利获得授权

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2018年9月28日,杭州立昂东芯微电子有限公司《一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺》发明专利获得授权,专利号:ZL201610174316.1。  

本发明公开了一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺,包括以下步骤:(1)将已经完成前段器件工艺加工后的砷化镓半导体基片粘附在蓝宝石载体上;(2)将步骤(1)中的砷化镓半导体基片进行机械减薄;(3)将步骤(2)中的砷化镓半导体基片浸于刻蚀液中进行化学腐蚀;(4)将化学腐蚀后的砷化镓半导体基片取出后经清洗、干燥,直接进行后端光刻及后续加工即可。

本发明工艺步骤简单,可操作性强,处理成本低,能有效去除受损晶体加工表面并释放内部应力,打破了需要购买专业工艺设备及安装配套化学废物处理系统的限制,大大缩短了后端加工工艺流程,更加有利于扩大产能,降低制造成本,提高产品的价格竞争力。